科技日报东莞10月16日电 (记者龙跃梅 通讯员张玮)记者16日从中国散裂中子源(CSNS)获悉，高性国散功CSNS探测器团队利用自主研制的面积膜中磁控溅射大面积镀硼专用装置，近日成功制备出满足中子探测器需求的碳化高性能大面积碳化硼薄膜样品，单片面积达到1500毫米×500毫米，硼薄薄膜厚度1微米，裂中全尺寸范围内厚度均匀性优于±1.32%，源研是制成目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。

    　　基于硼转换的高性国散功中子探测器因其优异的性能已成为当前国际上研究的热点，随着CSNS二期工程即将启动，面积膜中拟建的碳化中子谱仪对大面积、高效率、硼薄位置灵敏的裂中新型中子探测器需求紧迫。如何制备出高性能中子转换碳化硼薄膜是源研其中最核心的技术，目前也只有美国、制成欧洲等少数几个发达国家掌握了该项技术。高性国散功2016年，在核探测与核电子学国家重点实验室的支持下，CSNS探测器团队与同济大学朱京涛教授合作，开始研制一台磁控溅射大面积镀硼专用装置，镀膜厚度范围为0.01—5微米，同时支持单、双面镀膜，支持射频和直流镀膜。2021年6月，该装置通过验收并投入使用。

    　　据了解，经过多年的技术攻关和工艺试制，团队利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。（科技日报） 【编辑:李岩】

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